녹색광 파장과 In 성분의 관계

파장이 길수록 In 성분이 커집니다.

파장이 길어질수록 In 성분이 많아지기 때문에 InGaN과 GaN의 격자 불일치가 증가하고 InGaN 발광층의 결함이 증가하며 스트레스가 증가합니다. 스트레스는 양자 구속 스타크 효과를 더욱 유발합니다.

레이징 파장이 증가함에 따라 InGaN 양자우물에 포함된 In 성분도 그에 따라 증가합니다. 녹색광 LD를 구현하기 위해서는 InGaN 양자우물 내 In 성분이 약 30%에 달한다.